BJT frente a IGBT
BJT (Transistor de unión bipolar) e IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada) son dos tipos de transistores que se utilizan para controlar las corrientes. Ambos dispositivos tienen uniones PN y diferentes en la estructura del dispositivo. Aunque ambos son transistores, tienen diferencias significativas en sus características.
BJT (Transistor de unión bipolar)
BJT es un tipo de transistor que consta de dos uniones PN (una unión hecha al conectar un semiconductor de tipo p y un semiconductor de tipo n). Estas dos uniones se forman conectando tres piezas semiconductoras en el orden P-N-P o N-P-N. Por lo tanto, hay disponibles dos tipos de BJT, conocidos como PNP y NPN.
Tres electrodos están conectados a estas tres partes semiconductoras y el conductor central se llama "base". Otros dos cruces son 'emisor' y 'colector'.
En BJT, la corriente del emisor de colector grande (Ic) está controlada por la corriente del emisor de base pequeña (IB), y esta propiedad se aprovecha para diseñar amplificadores o interruptores. Por lo tanto, puede considerarse como un dispositivo accionado por corriente. BJT se usa principalmente en circuitos amplificadores.
IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada)
IGBT es un dispositivo semiconductor con tres terminales conocidos como 'Emisor', 'Colector' y 'Puerta'. Es un tipo de transistor que puede manejar una mayor cantidad de energía y tiene una mayor velocidad de conmutación, lo que lo hace muy eficiente. IGBT se introdujo en el mercado en la década de 1980.
IGBT tiene las características combinadas de MOSFET y transistor de unión bipolar (BJT). Es impulsado por una puerta como MOSFET y tiene características de voltaje de corriente como BJT. Por lo tanto, tiene las ventajas tanto de la capacidad de manejo de alta corriente como de la facilidad de control. Los módulos IGBT (constan de varios dispositivos) manejan kilovatios de potencia.
Diferencia entre BJT e IGBT
1. BJT es un dispositivo impulsado por corriente, mientras que IGBT es impulsado por el voltaje de puerta
2. Los terminales de IGBT se conocen como emisor, colector y puerta, mientras que BJT está formado por emisor, colector y base.
3. Los IGBT son mejores en el manejo de energía que BJT
4. IGBT se puede considerar como una combinación de BJT y un FET (transistor de efecto de campo)
5. IGBT tiene una estructura de dispositivo compleja en comparación con BJT
6. BJT tiene una larga historia en comparación con IGBT
