IGBT contra tiristor
Tiristor e IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) son dos tipos de dispositivos semiconductores con tres terminales y ambos se utilizan para controlar corrientes. Ambos dispositivos tienen un terminal de control llamado 'puerta', pero tienen diferentes principios de operación.
Tiristor
El tiristor está hecho de cuatro capas alternas de semiconductores (en forma de P-N-P-N), por lo tanto, consta de tres uniones PN. En el análisis, esto se considera como un par de transistores estrechamente acoplados (uno PNP y otro en configuración NPN). Las capas semiconductoras de tipo P y N más externas se denominan ánodo y cátodo, respectivamente. El electrodo conectado a la capa semiconductora interna de tipo P se conoce como "puerta".
En funcionamiento, el tiristor actúa como conductor cuando se proporciona un pulso a la puerta. Tiene tres modos de funcionamiento conocidos como "modo de bloqueo inverso", "modo de bloqueo directo" y "modo de conducción directo". Una vez que la compuerta se activa con el pulso, el tiristor pasa al "modo de conducción directa" y sigue conduciendo hasta que la corriente directa sea inferior al umbral de "corriente de mantenimiento".
Los tiristores son dispositivos de potencia y la mayoría de las veces se utilizan en aplicaciones donde se involucran altas corrientes y voltajes. La aplicación de tiristores más utilizada es el control de corrientes alternas.
Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
IGBT es un dispositivo semiconductor con tres terminales conocidos como 'Emisor', 'Colector' y 'Puerta'. Es un tipo de transistor que puede manejar una mayor cantidad de energía y tiene una mayor velocidad de conmutación, lo que lo hace muy eficiente. IGBT se introdujo en el mercado en la década de 1980.
IGBT tiene las características combinadas de MOSFET y transistor de unión bipolar (BJT). Es impulsado por una puerta como MOSFET y tiene características de voltaje de corriente como BJT. Por lo tanto, tiene las ventajas tanto de la capacidad de manejo de alta corriente como de la facilidad de control. Los módulos IGBT (constan de varios dispositivos) manejan kilovatios de potencia.
En resumen:
Diferencia entre IGBT y tiristor
1. Los tres terminales de IGBT se conocen como emisor, colector y compuerta, mientras que el tiristor tiene terminales conocidos como ánodo, cátodo y compuerta.
2. La compuerta del tiristor solo necesita un pulso para cambiar al modo conductor, mientras que el IGBT necesita un suministro continuo de voltaje de compuerta.
3. IGBT es un tipo de transistor, y el tiristor se considera como un par de transistores estrechamente acoplados en el análisis.
4. IGBT tiene solo una unión PN y el tiristor tiene tres.
5. Ambos dispositivos se utilizan en aplicaciones de alta potencia.
