BJT frente a FET
Tanto BJT (transistor de unión bipolar) como FET (transistor de efecto de campo) son dos tipos de transistores. El transistor es un dispositivo semiconductor electrónico que proporciona una señal de salida eléctrica que cambia en gran medida para pequeños cambios en las señales de entrada pequeñas. Debido a esta cualidad, el dispositivo se puede utilizar como amplificador o interruptor. El transistor se lanzó en la década de 1950 y se puede considerar como uno de los inventos más importantes del siglo XX considerando su contribución al desarrollo de TI. Se han probado diferentes tipos de arquitecturas para transistores.
Transistor de unión bipolar (BJT)
BJT consta de dos uniones PN (una unión hecha al conectar un semiconductor de tipo p y un semiconductor de tipo n). Estas dos uniones se forman conectando tres piezas semiconductoras en el orden P-N-P o N-P-N. Hay disponibles dos tipos de BJT conocidos como PNP y NPN.
Tres electrodos están conectados a estas tres partes semiconductoras y el conductor central se llama "base". Otros dos cruces son 'emisor' y 'colector'.
En BJT, la corriente del emisor de colector grande (Ic) está controlada por la corriente del emisor de base pequeña (IB) y esta propiedad se aprovecha para diseñar amplificadores o interruptores. Por lo tanto, puede considerarse como un dispositivo impulsado por corriente. BJT se usa principalmente en circuitos amplificadores.
Transistor de efecto de campo (FET)
FET está compuesto por tres terminales conocidos como 'Puerta', 'Fuente' y 'Drenaje'. Aquí, la corriente de drenaje está controlada por el voltaje de la puerta. Por lo tanto, los FET son dispositivos controlados por voltaje.
Según el tipo de semiconductor utilizado para la fuente y el drenaje (en FET, ambos están hechos del mismo tipo de semiconductor), un FET puede ser un dispositivo de canal N o de canal P. El flujo de corriente de fuente a drenaje se controla ajustando el ancho del canal aplicando un voltaje apropiado a la puerta. También hay dos formas de controlar el ancho del canal conocidas como agotamiento y mejora. Por lo tanto, los FET están disponibles en cuatro tipos diferentes, como canal N o canal P, ya sea en modo de agotamiento o mejora.
Hay muchos tipos de FET, como MOSFET (FET de semiconductor de óxido metálico), HEMT (transistor de alta movilidad de electrones) e IGBT (transistor bipolar de puerta aislada). CNTFET (Carbon Nanotube FET), resultado del desarrollo de la nanotecnología, es el miembro más reciente de la familia FET.
Diferencia entre BJT y FET
1. BJT es básicamente un dispositivo accionado por corriente, aunque FET se considera un dispositivo controlado por voltaje.
2. Los terminales de BJT se conocen como emisor, colector y base, mientras que FET está compuesto por puerta, fuente y drenaje.
3. En la mayoría de las nuevas aplicaciones, se utilizan FET en lugar de BJT.
4. BJT usa tanto electrones como huecos para la conducción, mientras que FET usa solo uno de ellos y, por lo tanto, se los conoce como transistores unipolares.
5. Los FET son energéticamente más eficientes que los BJT.
